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光刻技术是半导体制造中的关键工艺之一，其基本原理是利用光学-化学反应原理，通过光源、掩膜、光敏材料和显影等步骤，将图案传输到待加工的基片上。具体来说，光刻技术利用光学-化学反应原理，在光照作用下，借助光致抗蚀剂（光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上。光经过掩膜的透明区域照射到光敏材料上，使其发生化学或物理变化，然后通过显影去除未曝光的光敏材料（对于正性光刻胶）或曝光的光敏材料（对于负性光刻胶），最终形成所需的图案。‌


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